通过给体（D）-受体（A）策略设计高性能有机半导体材料用于有机场效应晶体管被认为是可行的,已经有众多相关文献对其进行了报道。尽管D-A聚合物在溶液加工性能上具有优势,但是其本身的分子量多分散性限制了其大规模应用。D-A小分子有着确定的结构与分子量可以避免材料本身带来的产品批次差异性问题。此外,相对较高的分子量和可调的侧链结构赋予D-A小分子良好的溶液加工性能。本文以茚并二噻吩并[3,2-b]噻吩（IDTT）为给体单元,设计并合成了几种A-D-A型小分子有机半导体材料并通过有机场效应晶体管表征了其载流子传输特性。实验内容与结果如下:（1）以IDTT为给体单元,强吸电子的2-（2-氧吲哚-3-亚甲基）丙二腈衍生物为受体单元并结合N取代策略设计并合成了小分子M1（无N取代）和M2（N原子取代）。氰基单元具有强吸电子能力,能有效的降低分子的LUMO能级,适合应用于电子传输的n型材料中。此外N原子取代进一步降低了LUMO能级的同时也使分子内相互作用增强,主链结构更加平坦（二面角降低）。基于两种小分子旋涂成膜的场效应晶体管性能如下:M1的最大电子迁移率为1.0×10-3cm~2V–1s–1,平均迁移率为7.0×10-4cm~2V–1s–1;M2的最大电子迁移率为3.4×10-3cm~2V–1s–1,平均迁移率为1.0×10-3cm~2V–1s–1。（2）以IDTT为给体单元,半异靛蓝基衍生物为受体单元设计并合成了小分子IDTT-MI和IDTT-T-MI。在IDTT和半异靛蓝基之间引入噻吩桥,延长了主链共轭长度,同时S···O相互作用也让IDTT-T-MI保持了优异的主链平面性,增强分子堆积能力。基于氯仿溶剂旋涂的IDTT-T-MI有机场效应晶体管性能提升很大,最高空穴迁移率达到0.8 cm~2V–1s–1。在使用非卤溶剂四氢呋喃做溶剂时,IDTT-T-MI也有高达0.32 cm~2V–1s–1的最大迁移率。