目前显示器件的主要发展方向是智能化、平板化、节能化。以薄膜晶体管（TFT）为开关元件的有源阵列驱动显示器是众多平板显示器的佼佼者。相对于非晶硅、多晶硅和有机薄膜晶体管，氧化物半导体晶体管以其低制备温度、高迁移率、对可见光透明和环境友好等特点，愈来愈受到研究人员的关注，被认为是下一代主流显示器的主要候选之一。本论文就氧化锌基薄膜晶体管进行了研究，具体研究内容和研究结果如下：1、充分调研了课题氧化锌基薄膜晶体管，通过大量的阅读相关文献，了解国内外相关机构对该课题研究的现状，并总结了该课题中目前存在的部分问题，掌握相应的解决方案。2、采用溶胶凝胶法（Sol-Gel）在N型重掺杂硅基底制备了锂掺杂氧化锌薄膜。以锂掺杂氧化锌薄膜为沟道层，制备了底栅结构的薄膜晶体管。XRD实验结果表明，500℃退火得到的锂掺杂氧化锌薄膜为纤锌矿结构，具有c轴择优取向。SEM实验结果说明，薄膜晶粒大小约为25nm，尺度分布均匀。电学测试结果显示器件是N沟道增强型。晶体管具有较好的饱和性，=12时，源漏饱和电流约为4μA。3、采用溶胶凝胶法（Sol-Gel）在N型重掺杂硅基底制备了氧化锌锡薄膜。以氧化锌锡薄膜为沟道层，制备了底栅结构的薄膜晶体管。XRD和SEM实验结果表明，氧化锌锡薄膜为非晶态结构。4、采用脉冲激光沉积法（PLD）在N型重掺杂硅基底和Pt基底依次制备BNT或HfO₂、ZAO薄膜。以ZAO薄膜为沟道层，以BNT或HfO₂与SiO₂为组合栅介质制备了底栅结构的薄膜晶体管。XRD和SEM实验结果表明，ZAO为晶态，其表面平整，没有裂纹、孔洞等缺陷。电学性能表明，以HfO₂/SiO₂为组合栅介质的ZAO-TFT的源漏饱和电流约为SiO₂为栅介质的ZAO-TFT的30倍。