【摘 要】
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该文采用ICP摄谱法对高纯氧化钕的基体效应—光谱干扰和非光谱干扰进行研究和校正.通过"最佳工作参数+干扰系数校正"法和"干扰系数+干扰因子联合校正"法对了氧化钕的基体效应
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该文采用ICP摄谱法对高纯氧化钕的基体效应—光谱干扰和非光谱干扰进行研究和校正.通过"最佳工作参数+干扰系数校正"法和"干扰系数+干扰因子联合校正"法对了氧化钕的基体效应进行了有效校正,实现了高纯氧化钕无基体匹配定量分析.该文还对氧化钕非光谱干扰的机理进行了研究,测定了ICP参数Texc和N<,e>.干扰因子的计算表明:氧化钕基体非光谱干扰是活度系数项和Boltzmann项共同作用的结果.此外,还测定了稀土杂质检出限和氧化钕基体的关系,所有稀土杂质元素检出限均随基体浓度增大而变坏.研究结果表明:该法能用于99.85﹪~99.9﹪的氧化钕样品直接分析.
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