【摘 要】
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垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)简称VD-MOSFET. VDMOS具有输入阻抗高、输入电流
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垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)简称VD-MOSFET. VDMOS具有输入阻抗高、输入电流小、驱动功率小、驱动电路简单、开关速度高、热稳定性好、无二次击穿等优点,大量应用于电源设备、电子开关、电子镇流器等各种场合高压分立器件和高压功率集成电路中,因此对VDMOS器件设计和仿真具有重要意义。本论文综述了VDMOS的国内外发展现状。在了解VDMOS结构和工作原理的基础上,根据半导体器件物理基础知识,设计了一款阈值电压为2.5-3.0V,击穿电压为600V的VDMOS器件。考虑硅晶圆片利用率和光刻掩膜版制备难易程度,VDMOS选用方形元胞结构。在此基础上,设计出工艺制造流程方案和光学掩膜版,并对器件进行了工艺制造模拟。选取合适的物理模型,还对VDMOS进行转移特性、输出特性、击穿特性仿真；以及分析外界因素对器件特性的影响。仿真结果表明,所设计的VDMOS器件的反向击穿电压为738V,阈值电压2.8V,输出特性良好,均达到预期设计要求。本论文设计的VDMOS工艺流程与目前主流工艺相也兼容,可以方便进行生产制造。
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