铜镉氧化物的制备及其电化学性能研究

来源 :哈尔滨工程大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:herirong
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氧化铜是一种P型半导体材料,其能带间隙为1.2eV。氧化铜在很多领域具有广泛的应用,如非均相催化剂、气体传感器、锂离子电池负极材料以及电场发射器等。镍镉电池因为其独特优异的性能仍被使用在各个领域。本论文采用无模板直接生长法制备CuO、Cu0.76Co2.24O4和Cd(OH)2及CdO纳米电极。之后利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对其进行物相和形貌的表征,并通过恒流充放电、循环伏安、交流阻抗等方法测试了其电化学性能。实验以6mol·L-1KOH溶液为电解液,所制备电极为工作电极,以Ni(OH)2/NiOOH为对电极,以Hg/HgO作为参比电极。实验发现CuO表现出很好的储氢能力,小电流密度下其稳定容量为83.6mAh·g-1。以20、50、80、100mA·g-1的电流密度对其进行充放电,发现循环五十圈之后活性物质的容量分别为83.6、70.2、58.6、38.6mAh·g-1。掺杂钴之后的电极的充放电电压有很大的提高,改善了纯相氧化铜电极放电电压低的缺点。电极在第一圈即达到最大储氢容量,不需要活化。电化学研究表明通过无模板法制备的Cd(OH)2和CdO电极均具有较高的比容量。对Cd(OH)2电极进行充放电测试,发现不同电流密度下电极的最大容量相差不大,都在240mAh·g-1左右。以50、100、150mA·g-1的电流密度对其进行充放电,发现循环五十圈之后活性物质的稳定容量分别为162.6、140.8、120mAh·g-1。以100mA·g-1的电流密度对不同焙烧温度的CdO电极进行充放电,发现最大容量相差不大,250℃、300℃、350℃下的稳定容量分别为180、175、158mAh·g-1
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