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氧化锌(ZnO)是一种具有六角纤锌矿结构的氧化物半导体材料,具有优异的光电性能,在透明电极、平面显示、太阳能电池等领域应用很广。未掺杂的ZnO材料远不能满足这些光电器件研制的要求,因此必须通过掺杂来调整ZnO材料中的载流子浓度,从而调节或改善其性能。如通过掺杂Ⅲ族元素(B,Al,Ga,In)或者Ⅶ族元素(F,Cl)等来提高其导电性能。其中,掺Al的ZnO薄膜(AZO)作为最具有发展前途的透明导电材料之一而被广泛研究。而F掺杂型ZnO薄膜亦被研究是因为F元素可在ZnO晶格点阵中形成置换晶界,导致自由电