随着信息革命的深入,作为集成电路基本元器件的晶体管的性能已被要求到苛刻的地步。当前主流的无机晶体管已经缩小到了数十纳米的级别,同时面临制备工艺难度大、发热量大以及量子效应方面的瓶颈。对此研究人员自然想到了有机半导体晶体管材料。相关的研究显示有机半导体材料具有来源广泛、工作电压低、可与柔性基底兼容同时兼有加工工艺简便(如成本低、可低温加工、适合批量生产等)的优点,并在理论上可制备分子器件,从而突破量子效应的限制。当前有机晶体管材料的相关研究已取得显著成绩,在诸多领域已有应用,如存储器、显示器、传感器、电子书等。然而有机晶体管性能方面仍然存在不足,限制了其应用推广,尤其在迁移率等关键性能上。而突破此问题的最理想途径是制备有机单晶晶体管,因为单晶可以有效克服材料中的杂质和结构缺陷,从而可以提高半导体的性能。本硕士论文首先尝试使用溶剂法生长16,17-二正辛烷氧基紫蒽酮的单晶。通过对不同溶剂体系的筛选以及温度、挥发速率等条件的优化,最终生长出能够用于XRD单晶解析的16,17-二正辛烷氧基紫蒽酮晶体。接着,通过对得到的16,17-二正辛烷氧基紫蒽酮晶体的单晶衍射XRD测试,获得16,17-二正辛烷氧基紫蒽酮的晶体参数。晶格常数为：a=30.6303；b=30.6303；c=18.2785.alpha=90；beta=90；gamma=90.空间群：I41/a。上述研究结果可为人们培养有机半导体单晶提供参考和借鉴。