发光二极管(LED)是一种固态冷光源，其具有节能、环保、寿命长等特点。发光二级光被称为继白炽灯和荧光灯后的第三代照明光源。现在提高LED的发光效率是LED的主要研究方向。　　 本文主要研究GaN基大功率蓝光LED的设计和制作，以实现提高LED发光效率的目的。主要工作有两部分：一是电流扩展模型的建立及芯片电极设计，电极的优化能够使LED的电流分布更加均匀，提高LED的功率效率；另外一个是基于阳极氧化铝的图形掩模的制作，该掩模能应用于图形衬底或者表面粗化，提高光提取效率。　　 本文在现有文献报道的模型基础上建立电流扩展模型，利用模型分析蓝宝石衬底大功率LED有源区的电流扩展情况。将芯片的发光情况与模型模拟所得的有源区电流分布情况进行对比，验证模型的正确性。分析LED各层参数，电极形状对于LED芯片有源区电流分布的影响。从而提出对LED芯片的设计思路。　　 本文还提出一种基于阳极氧化铝的制作图形衬底掩模的方法，并在实验上做出规则的掩模，对图形衬底的生产提出一种可行的方法。