磷酸二氢钾（KH2PO4，KDP）晶体是一种优良的非线性光学晶体。它具有多种非线性光学效应，被广泛应用于工业领域。因此，如何快速生长出大尺寸高质量KDP晶体成为国内外学者研究的重点。根据已有研究，生长溶液中的杂质是影响KDP晶体生长及其性能的原因之一。因此，本文针对溶液中的一类杂质离子，掺杂有机络合剂EDTMPA（乙二胺四亚甲基膦酸）利用络合反应降低其在溶液中的活性，降低或消除这类杂质离子对KDP晶体生长及性能的影响。并分析不同掺杂浓度对KDP晶体的生长及性能的影响。具体研究内容和结论如下：
　　①利用点籽晶快速生长法成功生长了未掺杂的纯KDP晶体和溶液掺杂浓度为200ppm，400ppm，600ppm及800ppm的KDP晶体。并比较了各个晶体的生长速度，发现柱面生长速度和锥面生长速度均发生变化。
　　②通过XRD粉末衍射实验发现，溶液中掺杂EDTMPA不会影响KDP晶体的晶型，掺杂物EDTMPA不会进入KDP的晶体结构中，其XRD图谱中特征峰的数量和位置均与纯KDP晶体相同，无其他晶相生成。
　　③通过FT-IR测试发现掺杂EDTMPA生长的KDP晶体与纯KDP晶体光谱图各吸收峰数目相同，没有EDTMPA的官能团吸收峰出现，这说明在生长过程中，掺杂物EDTMPA并未进入KDP晶体中。
　　④通过紫外-可见-近红外透射光谱分析，掺杂物EDTMPA几乎不影响KDP晶体在可见光和近红外区的光学参数，但会改变KDP晶体在紫外波段的光学参数：低掺浓度时，晶体的紫外透过率降低，折射率、消光系数、光电导率和光电阻率升高；高掺杂浓度时，晶体的紫外透过率升高，折射率、消光系数、光电导率和光电阻率降低。
　　⑤由晶体的TG-DSC曲线知，掺杂物EDTMPA对KDP晶体的起始反应温度和吸热峰无明显影响，掺杂后晶体的失重率降低。
　　⑥利用化学腐蚀法观察晶体的位错，低掺杂浓度生长的晶体位错密度均高于纯KDP晶体的位错密度。高掺杂浓度晶体的位错密度较未掺杂晶体位错密度少。
　　⑦通过单脉冲辐照损伤实验发现，掺杂后晶体的激光损伤阈值均下降，晶体更易损坏。