在无线通信应用上,硅器件与砷化镓器件之间有很大的竞争。然而,由于砷化镓的高电子迁移率、低损耗半绝缘性衬底、高的线性度、高截止频率、高击穿电压等优点,一直以来其在微波、毫米波电路中比硅工艺更加受欢迎,特别是更加适合应用到功率放大器、低噪声放大器等电路的设计。考虑到以上问题,本论文着重进行基于砷化镓工艺低噪声放大器设计的研究。对电路可靠性等问题,进行了砷化镓工艺下的静电保护电路研究。一方面,低噪声放大器作为接收机的第一级有源模块,应有足够低的噪声来提高接收机的灵敏度；并且应该有足够高的增益以抑制后级混频器等电路的噪声。本文低噪声放大器电路采用的是两级源极退化结构。区别于大部分砷化镓低噪声放大器所采用的片外电感直流偏置方式,本文采用的是片上电阻值比较大的电阻。低噪声放大器后仿真结果为：最大增益为33.257dB,3dB带宽为520MHz(1.13GHz到1.65GHz)。在1.16GHz-1.61GHz频段上,S11恒小于-10dB。在1.14GHz-1.61GHz频段上，输出噪声系数恒小于0.6dB；输出1dB压缩点大于+19.6dBm,输入1dB压缩点大于-12.8dBm；输出三阶截点大于31dBm,输入三阶截点大于-2dBm。电路版图面积是0.88mm×1.3mm。另一方面,ESD是造成砷化镓工艺集成电路不可靠的最大问题。而且,由于砷化镓工艺的热传导率与熔点都比硅材料要低,这使得由ESD造成砷化镓电路不可靠的问题比硅材料更大。为此，本文设计了一个片上层叠二极管结构的ESD保护电路。低噪声放大器是接收机一个重要的模块,是微波毫米波应用里的一个重要部分,可用在无线通信、GPS、无线局域网等应用中。