半导体行业是国家产业升级与转型的重点发展领域,Si C作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子迁移速率高等诸多优点,是高频、高温、高效、大功率电子元器件的理想材料,在航空航天、新能源汽车、5G基站等科学技术领域有广阔的应用前景。碳化硅晶体的加工质量和加工精度直接影响元器件的使用性能,碳化硅晶体作为衬底材料时,要求加工表面超光滑、无缺陷、无损伤。但是由于碳化硅晶体本身的高硬度、高脆性、高稳定性等特点,使碳化硅晶体抛光具有较大困难,主要体现在抛光效率低和抛光质量难以保证。因此本文结合现有的抛光技术,从提高电化学氧化碳化硅晶体速率的角度出发,通过使用金刚石-氧化铝混合磨粒进行碳化硅晶体的电化学机械粗抛光和软磨粒进行碳化硅晶体的电化学机械精抛光,提高碳化硅晶体的抛光效率和抛光质量。具体研究内容主要包括以下几个方面:（1）通过使用不同的电解液进行碳化硅晶体电化学氧化实验,结合动电位阳极极化曲线、恒电位氧化后碳化硅晶体微观形貌、EDS分析、XPS分析,优选能快速氧化碳化硅晶体的电解液。（2）使用金刚石-氧化铝混合磨粒进行碳化硅晶体电化学机械抛光,通过正交实验极差分析和综合评分分析,探究实验因素对碳化硅晶体抛光的材料去除率MRR和表面粗糙度Sa的影响,优化碳化硅晶体粗抛工序和半精抛工序的实验参数以提高抛光效率和抛光质量。（3）使用不同软磨粒进行碳化硅晶体电化学机械抛光,通过单因素实验分析磨粒种类、载荷、电压对碳化硅晶体抛光效果的影响,优选出能提高碳化硅晶体抛光质量并兼顾保证抛光效率的磨粒,并分析化学作用和机械作用的平衡关系对碳化硅晶体抛光结果的影响。