电化学机械抛光相关论文
半导体行业是国家产业升级与转型的重点发展领域,Si C作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子迁移速......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,因具有宽禁带、低介电常数、高热导率以及高击穿场强等优点,在航空航天、探测和通信等领域有广......
碳化硅作为新一代半导体材料，具有优越的电学性能，包括宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速度和高热导率，这些特征使得SiC器件可以工作......
电化学机械抛光与化学机械抛光工艺相比提供了更大的控制能力,而一个多区的阴极允许对圆片内部均匀性进行精确的控制.马拉松式运行......
为在包括 5-methyl-1H-benzotriazole ( TTA )的不同 pH 价值的 Cu 电气化学的机械 planarization ( ECMP )的电解质和材料移动机......
介绍了当前CMP的最新动态,包括CMP设备市场、电化学机械抛光、新型φ300mm晶圆CMP设备和阻挡层研磨版等.......
在铜电化学机械抛光(ECMP)工艺中,羟基乙叉二膦酸(HEDP)可与其他水处理剂协同抑制电解并使金属表面光滑,而传统的操作电位低于4 V(......
用于精密物理实验的大径厚比纯铜平面构件具有刚性差、对力和热载荷敏感、塑性强、切削加工性差等特点;这些特点导致使用普通的机......
电化学机械抛光（ECMP）技术可以在低压力下进行，有可能替代化学机械抛光（CMP）技术，满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中C......
多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光（CMP）技术带来了巨大的挑战，低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加......
介绍了一种使用螺旋式线型工具电极的电化学机械抛光新工艺。通过试验分析了加工过程中电化学机械复合作用机理及主要工艺参数对加......
随着超大规模集成电路的发展,芯片的特征尺寸不断减小,由此导致金属连线的RC延迟效应成为影响芯片处理速度的关键问题。为了减小RC......
