微晶硅薄膜沉积双因素优化和电学性质的研究

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【摘要】

：

本文以提高微晶硅的沉积速率为目标,在研究了单一沉积参数对微晶硅薄膜沉积速率影响的基础上,主要研究了采用甚高频(75MHz)化学气相沉积时,功率密度—沉积气压双因素和硅烷浓度—气体总流量双因素对沉积速率的影响,同时对微晶硅薄膜的电学性质和传导行为进行了研究。最终制备出沉积速率为2.1nm/s的微晶硅薄膜,样品的暗电导为1.6×10~(-8)(Ωcm)~(-1)、光敏性为678,电学性能达到电池有源层

【作者】

：

申陈海

【机构】

：

郑州大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

微晶硅高速沉积甚高频化学气相沉积双因素相图电学性质

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