【摘 要】
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本文以AA1060纯铝为基体进行等离子体电解氧化处理,研究了氢氧化钠浓度对等离子体电解氧化膜层生长的影响,着重研究了NaOH浓度为1 g/L时膜层从阳极氧化阶段到等离子体放电阶段的结构演变过程,探讨了硅酸钠浓度对膜层的影响。研究表明NaOH浓度能够影响阳极氧化膜层的类型以及等离子体放电行为。当NaOH浓度为1 g/L时,在等离子体电解氧化的阳极氧化阶段能够获得孔径均匀的“多孔”型阳极氧化膜层。随后
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本文以AA1060纯铝为基体进行等离子体电解氧化处理,研究了氢氧化钠浓度对等离子体电解氧化膜层生长的影响,着重研究了NaOH浓度为1 g/L时膜层从阳极氧化阶段到等离子体放电阶段的结构演变过程,探讨了硅酸钠浓度对膜层的影响。研究表明NaOH浓度能够影响阳极氧化膜层的类型以及等离子体放电行为。当NaOH浓度为1 g/L时,在等离子体电解氧化的阳极氧化阶段能够获得孔径均匀的“多孔”型阳极氧化膜层。随后,阳极氧化膜层局部产生裂纹和脱落,电流在这些薄弱区域发生集中,膜层优先被击穿,产生等离子体放电。电解液中的磷元素以非晶相的形式偏聚于“多孔”型阳极氧化膜层两界面的中间区域。随着氧化时间的延长,阳极氧化膜层内表面半球凸起从圆形逐渐过渡到多边形,半球的直径随着处理时间的延长而减小;而由等离子体放电产生的膜层内表面的半球凸起直径先随处理时间的延长而增加,之后维持在某一范围内。结果还表明无论是阳极氧化膜层上的管状孔洞,还是等离子体电解氧化膜层上的放电通道,均倾向于出现在已有的阳极氧化膜层孔洞以及已有的放电通道周围。等离子体电解氧化膜层外表面的一个“薄饼”状结构对应于一个放电通道,一个膜层内部空腔,以及一个与“薄饼”状结构面积相近的内层阻挡层凸起。比较了去除自然氧化膜的基体、覆盖自然氧化膜的基体,以及覆盖PEO膜层试样的耐蚀性的差异。结果表明PEO处理10 min的试样表现出最低的腐蚀电流密度以及最高的内层阻挡层电阻,其耐蚀性最好。在含不同浓度硅酸钠电解液中进行等离子体电解氧化,结果表明硅酸钠的加入改变了等离子体放电产生之前阳极氧化膜层的类型。阳极氧化膜层在被击穿之后仍能与等离子体电解氧化膜层并行生长。在不同浓度硅酸钠电解液中制备厚度近似的等离子体电解氧化膜层,分析表明,这些膜层均由γ-Al2O3和α-Al2O3物相组成,并且α-Al2O3在膜层中所占比例随着电解液中硅酸钠浓度的升高而降低。电化学数据表明相同厚度膜层的耐蚀性随着电解液中硅酸钠浓度的升高而降低。
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