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透明导电氧化物薄膜具有较高的可见光透过率及良好的导电性,因而广泛应用于传感器、平板显示器、太阳能电池等领域。目前,应用较多的是铟锡氧化物薄膜(ITO)及氧化锌(ZnO)薄膜,这是由于ITO薄膜透过率高、电阻率低、功函数高；ZnO薄膜价格便宜,沉积温度相对较低和在氢气气氛下具有更好的稳定性等优点。但是,传统透明导电薄膜由于带隙宽度的限制,其难以透过波长小于350nm的紫外光。同时,材料的禁带宽度越大,将其掺杂成为导电材料的困难也越大,所以具有优良导电特性的单层深紫外透明导电薄膜也较难制备。近年来,金属材料与宽禁带半导体材料所组成的“三明治型”多层结构获得了广泛关注,成为紫外透明导电薄膜研究领域的新热点。本论文综合论述了透明导电薄膜的研究进展及应用前景,利用磁控溅射技术制备了Ag薄膜、镓砷氧化物薄膜以及二者构成的多层结构紫外透明导电薄膜。通过调整Ag薄膜与镓砷氧化物薄膜的厚度,以及对Ag膜进行退火处理,采用X射线衍射仪、金相显微镜、紫外-可见分光光度计、霍尔测试仪对Ag薄膜、镓砷氧化物薄膜以及多层结构的各方面性质进行了分析和讨论。主要工作如下：1.Ag薄膜的制备与优化。实验采用射频磁控溅射技术制备了不同厚度的Ag薄膜,研究了厚度对Ag薄膜结构形貌及光电性质的影响,确定最佳的厚度参数。此外还研究了退火处理对Ag薄膜光学和电学特性的影响。2.镓砷氧化物的制备与优化。采用射频磁控溅射技术在c面蓝宝石衬底上制备了不同厚度的镓砷氧化物薄膜,研究了厚度对薄膜光电性质的影响,确定性能最优的厚度参数。3.镓砷氧化物-Ag-镓砷氧化物多层结构紫外透明导电膜的制备与表征。结合前面的研究结果,利用优化参数制各了镓砷氧化物-Ag-镓砷氧化物多层结构,并分析了多层膜的光电性质。此外还研究了Ag层退火对多层结构的光学和电学特性的影响。实验结果表明：溅射生长的Ag薄膜具有(111)取向；单层Ag膜为12nm时,薄膜兼具良好的透过性和导电性,退火后Ag膜晶粒稍有变大,其光电性质略有提高。实验中所制备的单层镓砷氧化物薄膜均呈现出高阻特性,当单层镓砷氧化物薄膜的厚度为32.5nm时,在可见和紫外光区具有良好的透过性。基于优化参数制备的多层薄膜在310-350nm波段范围内的平均透射率在50%以上,电阻率为2.79Ω/□,具备良好的紫外透明导电特性。