铬离子（Ⅵ）因具有高毒性、难分离的特点,在水污染处理领域已引起人们的广泛关注。但常规的分离方法大多存在着效率低、成本高、选择性低或易造成二次污染等问题。因此,迫切需要寻找一种对铬离子（Ⅵ）具有高选择性的吸附分离材料。金属离子印迹技术作为分子印迹技术的一个重要分支,因其具有高效率、高选择性、成本低等优点,被广泛应用于铬离子（Ⅵ）的分离富集领域,但常规离子印迹聚合物在研磨、过筛等制备过程中易对印迹位点造成破坏。金属离子印迹膜是金属离子印迹技术与膜分离技术相结合而形成的新兴技术,可成功解决上述问题。本论文基于金属离子印迹技术,制备了两类铬离子（Ⅵ）印迹复合膜及相应的非印迹复合膜,并对其性能进行了研究。研究内容主要包括以下两个方面:1.采用实验室常用功能单体制备铬离子（Ⅵ）印迹复合膜及相应的非印迹复合膜。以单因素实验优化法探讨铬离子（Ⅵ）印迹复合膜的制备条件,研究结果表明:较优条件下制备的铬离子（Ⅵ）印迹复合膜,其印迹因子达到2.40,且对铬离子（Ⅵ）的吸附平衡时间为60 min,饱和吸附量为34.60μmol/g;对铬离子（Ⅵ）的吸附行为符合Langmuir等温吸附模型和二级动力学模型,吸附行为属于化学吸附;在“竞争离子”存在下,离子印迹复合膜对铬离子（Ⅵ）有较好的渗透选择性,分离过程符合Piletsky的“门”模型。2.针对目标离子铬离子（Ⅵ）,以自主设计合成的N,N’-（ethane-1,2-diyl）bis（2-methylacrylamide）（EBMA）为新功能单体,采用表面接枝法,制备29个铬离子（Ⅵ）印迹复合膜(Cr（Ⅵ）-IICM_1-29)及相应的非印迹复合膜(NICM_1-29),对印迹复合膜的制备条件进行系统优化之后,确定了较优印迹复合膜的合成条件。在较优实验条件下制备的铬离子（Ⅵ）印迹复合膜,对溶液中铬离子（Ⅵ）的吸附平衡时间为45 min,饱和吸附量为62.99μmol/g,印迹因子达到2.58。较优离子印迹复合膜(Cr（Ⅵ）-IICM₁₃)对铬离子（Ⅵ）的吸附过程为熵驱动的自发放热反应,遵循二级动力学方程和Freundlich吸附方程。在“竞争离子”存在下Cr（Ⅵ）-IICM₁₃对铬离子（Ⅵ）具有较好的渗透选择性,分离过程符合Piletsky的“门”模型。研究结果表明:以自主设计合成的N,N’-（ethane-1,2-diyl）bis（2-methylacrylamide）（EBMA）为新功能单体制备的铬（Ⅵ）离子印迹复合膜,在复杂混合体系中,相对以常用功能单体制备的铬（Ⅵ）离子印迹复合膜,对模板离子具有更好的渗透选择性和更高的亲和性,说明设计合成的新化合物是可以作为功能单体使用的,也验证了功能单体设计的合理性,丰富了功能单体的种类,同时也为水体中铬离子（Ⅵ）的去除提供了广阔的应用前景。