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温度为40℃的条件下，利用液相沉积技术在砷化镓表面制备富氧的氧化硅薄膜，用来作砷化镓表面的钝化膜。之后采用扫描电子显微镜(SEM)、能量散射谱(EDX)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)对氧化硅薄膜进行分析。扫描电子显微镜照片显示出生长氧化硅薄膜之后的砷化镓表面还是比较平坦的；能量散射谱表明薄膜是由硅和氧两种元素组成，原子百分比为1：6，不是1：2；由俄歇电子能谱得知薄膜的平均生长速率为1.43(?)/min。如此慢的生长速度有利于薄膜的均匀性及致密性；傅立叶红外变换光谱表明在界面处存在化学键。此外由此薄膜制作的金属-氧化物-半导体结构的抗电场击穿强度可达7.8MV/cm。由此可知由液相沉积技术制备的氧化硅薄膜可用作超大规模集成电路的绝缘层。此外，我们又做了由液相沉积技术制备的氧化硅薄膜在生长周期性的微探尖应用方面的研究，结果表明，此氧化膜可以用来作为生长周期性铝镓砷/砷化镓微探尖的掩膜。