密封式继电器适用于超高温、高压、强电磁干扰、强化学污染等生产条件。各种原因使得触点表面发生多种电化学污染,造成表面形貌的变化。形貌与污染是直接影响触点接触性能的重要因素,改变触点形貌特征与膜电阻,使接触性能下降,缩减继电器使用寿命。本文围绕着密封式继电器触点在贮存环境下的接触性能问题,以形貌与污染角度分析,从旋转拟合圆形触点形貌参数、还原接触表面三维形貌、表面污染成分三方面进行了试验、拍摄、分析、研究和验证。本文首先在贮存寿命加速试验基础上,利用三维非接触形貌仪精准获得动静触点表面微观形貌数据,并分析了触点组的运动过程,提出圆形与板形触点组接触位置的坐标建立方法,建立差平面,利用改进KSW最大熵值算法（Genetic-KSW）,将触点表面按照形貌高度变化突变情况分层分析。其次,为解决圆形触点以及差平面的三维形貌分析问题,提出了旋转粗糙度计算方法,将不同方向的矩形粗糙度拟合为圆形触点表面的综合粗糙度参数值,计算移动Hurst参数分析各角度内接矩形粗糙度参数的关联性,并利用快速傅里叶变换FFT验证了该方法的可行性。再次,结合SEM与XPS进行动静触点表面污染物成分分析,Cl、S、O、C、N元素为动触点的主要污染元素,污染物可能存在Na₂CO₃与NaNO₂,在深蚀地区产生AgCl污染物。静触点的污染主要为O、C元素,并存在着少量Cl以及微量S元素。最后,提取单一触头表面污染轮廓,研究触头表面形貌与污染的关联性,得到了形貌与污染两者的映射关系,表明在多种污染反应共同作用中,每种反应的本身污染形貌特征依旧存在。本文提出的旋转粗糙度计算可推广适用于各种圆形金属面形貌分析,研究内容针对触点表面形貌与污染的关联性,为继电器触点接触性能退化研究提供了新的研究角度,并为接触性能退化的研究和相关技术在其他学科领域的应用提供新思路。