论文部分内容阅读
本文利用中频脉冲磁控溅射方法,以掺杂Al 2wt%的Zn:Al合金靶为靶材,制备了用于硅薄膜太阳电池的绒面ZAO透明导电薄膜。研究了氧流量、衬底温度、溅射功率和工作压力等沉积条件对平面ZAO薄膜电学、光学、以及结构特性的影响。结果表明:当氧流量不变时,衬底温度为220℃,溅射功率为80W,工作压力332mPa时,薄膜电特性最佳。制备出的ZAO薄膜的方块电阻为9?,电阻率为6.31×10-4?cm,载流子浓度为8.7×1020/cm3,霍尔迁移率为12.8cm2V-1s-1,可见光范围内的平均透过率大