铟镓锌氧化物半导体作为一个历史只有十多年的材料,目前其导电机制还没有定论。但是可以肯定的是,铟镓锌氧化物的态密度是其电学性质的一个重要表征。在现有文献中,对铟镓锌氧化物半导体态密度模型的研究则主要都集中在一些特定的模型或者模型参数的提取上。本文结合了现有铟镓锌氧化物半导体研究中的主流态密度模型,通过使用计算机仿真软件,对相关材料与器件进行了建模与仿真,并分别就每个模型参数对器件特性的影响以及模型参数之间的互相影响进行了详尽的研究。本文还创新性地通过提取器件禁带中陷阱俘获电荷分布曲线的方法直观地展示出了态密度模型参数对器件特性的影响;并在这一基础上进一步优化,通过使用不同的栅偏置电压提取俘获电荷分布曲线,从而将态密度模型参数对器件的影响放大。经过一系列的仿真分析,本文定性地给出了每个态密度模型参数对器件特性的影响,并对其原因进行了详细的分析。仿真结果表明:铟镓锌氧化物半导体态密度模型中的受主部分主要影响器件的漏极电流和阈值电压,当受主态密度增加时,器件的漏极电流减小,阈值电压增大;而施主部分则主要影响器件的亚阈值特性,取决于其在禁带中的位置,当费米能级附近的施主态密度增加时,器件的亚阈值摆幅增大,当费米能级上方的施主态密度增加时,器件的阈值电压减小;此外,当施主态密度分布中心由导带附近向价带移动时,器件的漏极电流和阈值电压均减小。对于不同的制造工艺,铟镓锌氧化物半导体的性质存在差别,因此这些结果都对未来在仿真特定制造工艺的铟镓锌氧化物半导体器件时的材料定义工作提供了指导。同时,本文还探讨了铟镓锌氧化物半导体柔性器件的仿真和其光照特性的仿真。其中前者的仿真结果显示出平面器件和曲面器件在器件特性上没有区别,但是这个结果是在缺乏应力模型的条件下得出的,不能作为铟镓锌氧化物半导体在柔性器件应用领域适用性的证明。在后者的仿真中,我们观察到了光照对铟镓锌氧化物半导体器件的影响,但是,同样在缺乏相关仿真模型的条件下,这个影响与光照对氢化非晶硅的作用类似,即光照仅仅只是增加了器件的关断电流,而缺乏了其对铟镓锌氧化物半导体器件阈值电压的独特作用。