铟镓锌氧化物相关论文
膀胱癌是泌尿系统中最常见的恶性肿瘤,死亡率高且呈逐年上升趋势。由于膀胱癌病理类型复杂,症状非特异性,难以实现早期临床诊断,因......
以InGaZnO为代表的氧化物半导体薄膜晶体管具有电子迁移率高、截止电流低、稳定性强、均匀性好、可见光透明和制备温度低等诸多优......
随着大数据时代的到来,信息呈现爆炸式的增长趋势,传统计算机的冯·诺伊曼架构中计算单元和存储单元分离,两者之间数据交互需要消......
随着科技的发展,人们对于面板的便携性以及小尺寸性有了更高的要求,而In Ga Zn O Thin Film Transistors（IGZO-TFTs）存储器由于其对......
采用IGZO和UV2A技术开发了120 Hz驱动的249 cm8K4K TFT-LCD面板,具有高透光率、全方位视角、超高对比度、响应时间快等优异的光学......
IGZO-TFTs在显示技术领域扮演重要角色,具有高迁移率、高开关电流比、均匀性和稳定性好等优点,能够制备大面积、高分辨率、高刷新......
近几年来,由于高分辨率平板显示器,传感器以及大面积柔性电子器件的盛行,使得透明氧化物薄膜晶体管（TFT）越来越成为研究热点。其中具......
生物化学传感器在国土安全、医学环境监测、生物科学研究以及食品安全领域具有重要应用。目前,场效应晶体管生物传感器具有易集成......
膀胱癌是泌尿系统中最常见的高死亡率的恶性肿瘤,如今临床上诊断膀胱癌的金标准是膀胱镜检查,它具有一定的侵入性,病人在检测几天......
由于磁性物质在电学、磁学、光学、力学等领域拥有巨大的研究和应用价值,在很多年来,磁性材料一直是众多研究者们的兴趣所在。在人......
为了解决典型宽禁带半导体光电探测器件的工作波段限制材料禁带宽度的问题，对基于表面等离激元热电子效应的光电晶体管进行了制备和......
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针对异步对称双栅结构的氧化铟镓锌(InGaZnO)薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs),求解泊松方程,并根据载流子在亚阈区、导通......
铟镓锌氧化物IGZO（indiumgalliumzincoxide）是用于新一代薄膜液晶显示屏薄膜晶体管沟道层的材料。研究铟镓锌金属氧化物IGZO在TFT—L......
铟镓锌氧化物半导体作为一个历史只有十多年的材料,目前其导电机制还没有定论。但是可以肯定的是,铟镓锌氧化物的态密度是其电学性......
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述．氢元素是铟镓锌氧化物薄......
柔性显示器件是未来显示技术领域的一个热门研究方向,而与此同时非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(α-IGZO TFT)则因其相比传统的非晶硅......
当今电子信息行业的发展迅速,而电子元器件产业是基础,因此发展也异常的快。而薄膜晶体管(TFT)因为在显示器方面的关键作用,它的研......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是由电极层、半导体层和绝缘层组成的场效应器件。它是组成液晶显示器(Liquid Crystal Dis......
采用铟镓锌氧化物(IGZO)技术开发了249 cm超高清8 K×4 K(7 860×4 320)面板,面板像素结构使用1G1D结构并搭配单边源极驱动的方式,......
为了达到便携移动终端日益轻薄的要求,In-cell Touch技术是触控的最佳选择。目前,非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）越来越受......
以专利计量学的方法和相关理论为指导，以德温特创新索引数据库收录的有关铟镓锌氧化物（IGZO）的专利为数据源，借助可视化分析工具CitsSp......
讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化......
