紫外探测器已经在各个领域都有广泛的应用,例如环境监测、医疗、生物、军事等。新型紫外探测器要求具有体积小、便于携带、易于加工、高的开关电流比、快的响应恢复时间和制造成本低等特点。而宽禁带金属氧化物半导体材料是很好的候选者。其原因是宽禁带材料本身不会吸收可见光,可以实现对紫外光的高效吸收。与窄带隙材料相比可以减少使用滤波器而节约成本。并且宽禁带金属氧化物半导体材料众多,如TiO₂、ZnO、NiO、SiC、CaN等,这些材料具有稳定的物理化学性质引起了众多科研者的关注。本文的主要工作如下:1.首先通过静电纺丝法成功的合成了有序纳米线载体,然后通过控制脉冲激光沉积目标靶材的沉积时间制取了不同直径的PVP/Ti复合纳米线,沉积时间分别为6min、12min、18min和30min。然后在管式炉氧化烧结2小时即可得到不同壁厚的锐钛矿相TiO₂纳米管。光电响应结果表明沉积18min的样品表现出了最大的光灵敏度的同时又具有快的响应恢复时间。2.通过上述方法成功制备了大面积有序排列的ZnO纳米管和金红石相TiO₂纳米管,其中ZnO纳米管表现出对紫外光较差的响应。由于共轴异质结能够大大增加界面面积,提高光生载流子的分离效率和抑制了电子-空穴对的复合几率,因此本论文从构建异质结结构以改进ZnO纳米管光电性能的思路出发,成功的合成了ZnO/TiO₂共轴异质结纳米管并且该器件表现出了好的紫外光响应。在此基础上,由于发现温度对该异质结器件的紫外光响应性能影响比较明显,因此本文对异质结器件在90℃的环境温度下的光电性能做了进一步的测量,结果表明在合适的温度下器件的紫外光电性能相比室温下有了很大的提高。