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1、提出利用梯度掺杂的方法提高器件发光效率。考虑到提高器件的发光效率,就需要实现载流子从正负电极处的平衡注入,使载流子或所形成的激子尽量限制在有源区（掺杂区）内,同时也需要考虑母体材料与客体材料之间是否有良好的能量转移或载流子转移效应。由于我们通常采用的电子传输材料Alq3不仅具有良好的电子传输性能同时也能够传输空穴,因此在一般掺杂结构器件中Alq3层并不能阻止未参与复合发光的空穴的传输,而到达阴极的空穴又会引发电极处的淬灭效应。因此为了获得高的发光效率,应该有效地防止未参与复合发光的空穴通过未掺杂Alq3层传输到达阴极。基于此,我们提出了在电子传输层（Alq3）和空穴传输层（NPB）同时梯度掺杂rubrene的方法,形成双发光区,实现载流子的很好限制,提高了器件的发光效率。并利用DCJTB红光染料作为检测剂,确证了对于双发光区梯度掺杂器件,在靠近NPB:rubrene/Alq3:rubrene界面处的NPB:rubrene层是主要的发光区的结论,主要发光区远离阴极降低了激子在阴极处的淬灭效应,提高了器件的发光效率。2、对在由梯度掺杂方法形成的互掺过渡层中掺杂荧光染料的高效发光器件的研究。我们提出的互掺过渡层是在生长过程中,NPB浓度逐渐下降而Alq3浓度逐渐上升形成梯度掺杂形式的互掺过渡层结构。通过对互掺过渡层掺杂rubrene,使得器件的最大效率在10V达到7.96cd/A,最大亮度在35V达到49,300cd/m2,是目前基于rubrene的黄光掺杂器件中比较好的