论文部分内容阅读
本论文采用传统陶瓷制备工艺、利用固相法制备了[Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5]TiO3(简写为BNKLT)系无铅压电陶瓷。XRD 分析结果表明:采用轧膜成型工艺、在1075-1150℃烧结2 小时得到的BNKLT 陶瓷样品,与干压成型工艺所得到的BNKLT 陶瓷样品一样,均具有良好的结晶状况,呈现单相的钙钛矿结构。表征了BNNKLT 陶瓷样品的微观结构,测试了不同制备工艺条件下材料的性能,包括介电、压电等电学性能。利用此无铅压电陶瓷体系,制作了单片式中频滤波器和梯形中频带通滤波器,并且进行了能阱模高频滤波器的设计制作研究。通过上述工作,得到如下具有创新意义的研究成果: (1)采用轧膜成型工艺可以得到表面致密、无空洞的无铅压电陶瓷样品;这些陶瓷样品晶粒饱满,呈四方几何外观结构。对在160±10℃老化2 小时得到的BNKLT 陶瓷谐振体,测量其老化性能。其中,K、Li 含量较低的组分对应的BNKLT-2 陶瓷谐振体老化后仍具有较强的介电、压电性能,表明此组分材料在160±10℃温度下老化未发生严重退极化,具有可用性。(2)测试了轧膜成型工艺和干压成型工艺条件下BNKLT-1 BNKLT-2 陶瓷片的压电性能。轧膜成型因加入粘结剂多达20%,影响陶瓷致密度,从而一定程度上影响了陶瓷的压电性能。BNKLT-1 陶瓷干压片和轧膜片的压电常数分别为170pC/N 以上和约150pC/N, BNKLT-2 陶瓷的压电常数大约为118 pC/N。BNKLT-1 陶瓷片的平面机电耦合系数kp 要高于BNKLT-2 陶瓷片,但其机械品质因数Qm 则稍低。(3)采用轮廓振动方式,制作了单片式中频(IF=530KHz)滤波器。器