由于通讯等行业中存在大量电磁测试需求,而自然界中缺少屏蔽电磁波干扰的自由空间,因此研究人员设计并搭建暗室作为测试场所。建造暗室需要消耗大量的时间和物质成本,计算机技术及网络的迅猛发展推进了暗室仿真设计和虚拟暗室的研究。暗室性能的关键是吸波材料的吸波效率与布局,在实际应用中,厂商通常只提供吸波材料的反射率,吸波材料的电磁参数难以获取,而采取射线追踪技术设计高精度的超大型暗室需要吸波材料广角宽频反射系数。基于上述背景,本文主要研究通过软件手段实现电磁参数反演的方法,建立表征吸波材料广角宽频反射特性的模型,用于微波暗室的设计和评估。首先,本文提出一种新的基于遗传算法的电磁参数反演方法,建立表征吸波材料广角单频点反射特性的模型。以单频点的角锥型吸波材料为目标对象,根据反射率的误差大小,初步确定该反演方法的流程和遗传算子。随后,以宽频的角锥型吸波材料为目标对象,通过对比反演反射率曲线和实际反射率曲线,在曲线趋势一致的基础上,分析反射率误差较大的原因,并引入反射率误差最大值构建适应度函数优化算法。最后,将优化后的算法应用于宽频的蜂窝型吸波材料,经验证广角反射率一致性显著提高,证明了方法的有效性及正确性。其次,介绍了暗室的空间尺寸和布局,阐述了紧缩场替代远场测试的原理以及优势。分析了在微波暗室中抛物面把馈源的电磁波转化为平面波的过程,并计算其抛物面的选取方式,确定了暗室仿真中的加源方法。将理想介质（PML）应用于全尺寸理想紧缩场进行暗室的仿真并进行指标评估。通过分析观察平面内散射电场的幅度和相位分布,经过多次加密采样点,最终确定了符合交叉极化度和相幅特性指标的静区位置。最后,在确认吸波材料广角宽带反射特性表征正确性的基础上,将角锥模型吸波材料覆盖在暗室中,应用于全尺寸简易紧缩场的仿真。考察静区位置和范围、空间范围内电场分布在幅值和相位方面的不平整度以及分析电场分别在交叉极化方向和水平极化方向下的分量。将其仿真结果与应用PML的暗室仿真结果进行对比,进一步证明方法的正确性。