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电路有三种基本被动元件：电阻,电容,电感。研究表明还存在着第四种基本元件：忆阻器。忆阻器表征磁通量φ与电荷q之间的关系,其本质要出现滞后回线(pinched hysteresis loop).忆阻器在存储,模拟,神经网络等方面有重要的应用价值。本论文从忆阻器的基本定义出发,讨论忆阻器的本质,实现忆阻器的基本条件和忆阻器的动力学问题。以铟锡氧化物材料为基础结合模拟、表征和理论对Memristor的动力学问题进行探究,其主要结果如下：1.首次在非晶铟锡氧化物中发现忆阻及阻变现象,铟锡氧化物为广泛