铟锡氧化物相关论文
目的通过非暴露式气管灌注纳米铟锡氧化(Indium Tin Oxide,ITO)物染毒法建立大鼠肺泡蛋白沉积症模型,通过病理学角度验证模型的成......
报道了用有机染料ＴＰＢ（１，ｌ，４，４－四苯基丁二烯）分散到ＰＶＫ（聚乙烯基咔唑）中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转......
铟是德国·科学家赖希(F.Reich)和里希特(T.Richter)于1863年在研究闪锌矿样品并用光谱法分析制取氧化锌溶液时发现的，同年，里希特分......
近年来,通信技术发展迅速,通信技术在不断方便人们生活的同时,人们对通信系统也提出了更多要求,除了常规的通信要求外,在一些特殊......
要说传统的窗帘的确是物美价廉，操作简易，但弊端也非常明显，就是只能有遮光或者曝光两种选择。其实在很多时候，人们需要处在既不完全遮......
本文介绍了纯度９９．９９％ 以上、费氏粒度在０．６～１．２ μｍ 、比表面积为４～１２ ｍ ２／ｇ 的球状氧化铟粉的研制工艺，着重研究了均相沉淀过程的条件如温度，起始铟离子浓......
用离子交换法制备ＷＯ３电致变色薄膜，并制备结构为ＷＯ３／ＬｉＣｌＯ４＋ＰＣ／ＴｉＯ２的夹层式半固态电致变色器件。测试了薄膜及器件的循环伏安特性曲线，研究了薄膜及器件在......
有机-无机杂化甲氨铅碘类钙钛矿太阳能电池在制备及使用过程中, 甲氨铅碘层中的甲基铵离子易分解为甲基离子/基团和氨离子/基团, ......
电路有三种基本被动元件：电阻,电容,电感。研究表明还存在着第四种基本元件：忆阻器。忆阻器表征磁通量φ与电荷q之间的关系,其本质要......
纳米氧化铟锡[In2O3(SnO2)]是一种N型半导体材料,以其良好的电导、透光性能而成为电子行业显示器、显像管防静电、防辐射、防眩目......
该文采用两种方法分别制备掺镧和未掺镧ITO薄膜,一种方法是采用溶胶——凝胶法浸涂镀膜;另一种方法采用共沉淀法合成纳米ITO粉末,......
铟锡氧化物纳米粉体材料是一种高简并的锡掺杂n型半导体材料，因其良好的光电性能被广泛应用于透明导电薄膜的制备。目前，磁控溅射法......
铟锡氧化物(Indium-Tin-Oxide，简称ITO)或掺锡氧化铟(Tin-Doped IndiuinOxide)是一种重掺杂、高简并N型复合氧化物半导体，是一种极具......
太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径。HIT~(TM)太阳电池虽然诞生的时间不长,但是凭借其廉价高效的巨大优势迅速抢占国际......
本论文研究分2个部分:1)用溶胶—凝胶法制备ITO薄膜,并对其形貌以及结构、电学和光学性能进行表征以四水氯化铟为先驱体,以乙酰丙......
ZnO薄膜是继铟锡氧化物(ITO)薄膜之后,新开发出来的一种新型的宽禁带、在可见光光区范围内具有高透射率和低电阻率的n型半导体透明......
铟锡复合氧化物（ITO, Indium and Tin Oxide）膜是铟的主要应用领域。在其制备工艺中,产出大量的ITO废靶需回收处理。 本文研究了......
本文在经典共沉淀法基础上，通过加入保护剂PVP，合成了球形的ITO纳米颗粒，其粒径小，颗粒均匀，易于分散。探讨了PVP的用量、热处理温度、......
透明导电氧化物薄膜在光电产业扮演着很重要的角色。目前应用广泛的透明导电氧化物薄膜主要有氧化铟锡薄膜(ITO)、氧化锌铝膜(AZO)......
建立微波消解-电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS),简便、快速、准确地测定大鼠体内铟元素的含量。采用气管灌注法对SPF级雄性Wistar......
用溶胶凝胶法以SnCl4·5H2 O和铟为原料 ,制备出了铟锡氧化物 (SnO2 ·In2 O3)的二元氧化物纳米粉末 ,并用差热分析 (DTA)、X 射线......
研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响。结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影......
以单分散性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球自组装形成的有序胶体晶体结构为模板,制备了铟锡氧化物(ITO)有序大孔材料.以扫描电子显微......
为了改善因为铟锡氧化物(ITO)薄层对紫外光具有高吸收率,从而导致石墨烯紫外LED低光提取效率(LEE)问题,采用ITO微纳结构(矩形和三......
采用化学共沉淀法制备铟锡氧化物超细粉末, 并用差热分析仪测定铟锡氧化物前驱体的分解温度、用X射线衍射分析其晶型, 用透射电镜......
采用射频磁控溅射法，在不同氧流量（0～10sccm）的条件下沉积了铟锡氧化物（In2O3-SnO2）透明导电薄膜。紫外分光光度计测试薄膜的透射率，四点......
研究了铟锡氧化物（ITO）粉末退火后的组织和结构,比较了不同状态的粉末和制备工艺对ITO靶材的影响。结果表明,纳米ITO粉末在800℃以下......
以硝酸铟和四氯化锡为源材料,无水乙醇和乙酰丙酮为溶剂,采用溶胶-凝胶工艺制备出纳米晶ITO透明导电薄膜.采用XRD和SEM分析了薄膜......
以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为原料,采用共沉淀法制备ITO纳米粉,并对其进行表面修饰.辅助TG-DSC、FT-IR、XRD、SEM、EDS和......
氧化铟和氧化锡均具有优良的物理化学性能，将它们按不同比例混合可以制得电学性能优异的n型半导体材料。90％的氧化铟和10％的氧化锡复......
对铟锡氧化物（ＩＴＯ）靶材的现有生产工艺方案和应用现状及前景作了综合评述。提出了ＩＴＯ靶材成形的新方案－动态成形技术。......
研究了ITO经机械活化后与盐酸反应的动力学规律。研究结果表明，ITO在搅拌磨中经机械活化后，化学活性提高，与HCI的反应速度加快，活化30m......
研究了以4N铟、锡锭为原料，以25％氨水为沉淀剂，采用点滴法滴加氨水的方式来制备铟锡氧化物（ITO）纳米粉体的化学液相共沉淀法。考察了反......
本文探讨了一种ITO纳米粉的低温、易于量产的制备方法.将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜内,在300℃、2 MPa的条件下就可制得ITO......
这里包括浸出、除杂、置换、电解等步骤，特征是一段浸出的控制条件为：浸出液中盐酸的始酸浓度50～150g／l，温度40℃～80℃，浸出时间1～5小时；二......
文章利用新颖的浓缩析出加煅烧工艺、制备了微米级ITO棒状粉末。借助X射线衍射（XRD）对棒状粉末进行了相结构研究;利用扫描电镜（SEM）对......
将纳米铟锡氧化物（ITO）粉体分散到乙醇溶液中制得ITO乙醇浆料，再添加成膜剂，制备纳米1TO涂料，通过提拉法镀膜制得透明隔热ITO薄膜．研究了......
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸......
采用Rietveld全谱拟合方法对一系列相组成不同的铟锡氧化物前驱体在不同温度下热处理后的样品进行定量物相分析。研究结果表明,铟......
靶材为铟锡氧化物(In2O3:SnO2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO薄膜.质量流量计调节Ar气压强为0.2～3.0Pa,氧......
以金属In和SnCl4·5H2O为主要原料,加入保护剂PVP,利用化学共沉淀法合成了球形的铟锡氧化物（ITO）纳米颗粒.分别对PVP的用量、溶......
以纯金属铟和五水氯化锡为原料，采用化学沉淀法制备氧化铟锡，用聚乙烯吡咯烷酮对铟锡氧化物进行表面修饰。用XPS、XRD、IR和TEM等对......
美国杜克大学的一化学研究小组6月1日表示，他们成功地完善了铜纳米导线的制造方法，此举有望在不久的将来让铜纳米导线的商业化生产成......
