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原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是一种先进的薄膜沉积技术,具有薄膜生长厚度在原子级别精确可控、台阶覆盖性极佳、重复性好等优点,因而在纳米材料制备、催化及储能等领域具有广泛的应用前景。本论文利用ALD技术在多孔纳米材料表面沉积了尺寸和组成可控的NiO和VOx纳米颗粒,并分别对其电化学储能和催化性能进行了研究,主要研究工作如下:1.NiO/多孔石墨烯(NG)复合材料的ALD制备及其超级电容器性能研究由于氧化镍在理论上有较高的比电容(2573F/g),