石墨烯是一种新型二维碳材料,自2004年在实验室被制备出后,以其新颖优异的光、电、热、力等性能,成为材料等领域的焦点,并在短短几年里,发展了数种制备方法,以石墨烯为基础的电子器件也吸引了大量的研究。目前限制石墨烯产业化应用的仍然是材料的制备,探究石墨烯的生长机理、制备大面积高质量的石墨烯显得尤为迫切。在众多制备方法中,化学气相沉积法(CVD)是最有可能实现产业化生产的一种方法,本文着重研究用CVD法在铜箔上制备高质量石墨烯及其复合物。我们研究了实验参数及衬底取向对石墨烯生长初期(2分钟)形貌的影响,分析机理,可控的制备出了六边形、花形等形貌的石墨烯,并进一步研究了石墨烯薄膜(15分钟)的可控生长。通过优化参数,制备出了高质量的单层石墨烯,并成功的将其转移到石英、玻璃、SiO2/Si等衬底上,对其结构进行了各种表征,如光学显徽镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜、拉曼。我们进一步研究了石墨烯的光电性能,单层石墨烯的可见光透过率达到97.2%,方块电阻808Ω/sq。并通过化学处理,探究提高石墨烯电学性能降低薄膜电阻的方法,发现浓硝酸、浓磷酸和氨水对石墨烯的电学性能均有很大的提高。最后我们用CVD法制备出了CuxO/石墨烯的复合薄膜,可作为良好的葡萄糖传感器材料及锂电正极材料。分析了其形成机理及生长规律,可通过调节实验参数来控制复合薄膜的形成。