铁酸铋是少数几种室温下同时具有铁电、铁磁的新型的多铁性材料(Multiferroics)，它是三方扭曲的钙钛矿结构，其铁电居里温度和磁性相变尼尔温度分别高达850℃和370℃，并且能够发生电磁耦合而产生磁电效应，在信息存储、卫星通讯、磁电传感器等领域有着广泛的应用前景。近年来，铁酸铋薄膜相对于体材料表现出明显提高的绝缘性能和优越的铁电、铁磁性能，引起了国际上的广泛关注。本论文用脉冲激光镀膜(PLD)技术制备了铁酸铋、铁酸铋镧和钌酸锶薄膜等，探讨了薄膜的生长工艺和结构、性能表征、研究了镧元素掺杂和钌酸锶电极对铁酸铋薄膜的介电、铁电和铁磁性能的影响。 铁酸铋薄膜的结晶性能随衬底温度的升高而增强，但温度的过高会加剧BiFeO<,3>薄膜和底电极之间的扩散，导致薄膜的介电和铁电性能下降。当衬底温度为450℃时，薄膜具有较小的漏电流密度，表现出较好的介电和铁电性能。在一定的沉积温度下，随着沉积氧压的增大，铁酸铋薄膜的介电性能提高，漏电流密度下降，但氧压过高又会导致薄膜铁电性能的下降。当沉积氧压为5 mTorr时，BiFeO<,3>薄膜具有较为饱和的电滞回线和较高的剩余极化。La元素含量为20％的铁酸铋镧薄膜具有(010)择优取向，室温下的自发磁化强度和饱和磁化强度分别为51.2 emu.cm<-3>和168 emu/cm<3>，分别是铁酸铋薄膜的7和2.5倍。La离子的引入提高了铁酸铋薄膜的结晶性能，抑制了Fe<3+>→Fe<2+>离子的转变，减少了氧空位，薄膜的绝缘性能、铁电和铁磁性能也明显提高。在Pt-Si上制备的SrRuO<,3>薄膜的电阻率随着衬底温度的升高和生长时间的延长而下降。衬底温度为720℃时制备的230 nm厚的钌酸锶薄膜具有单相钙钛矿结构，电阻率为1.227×10<-4>Ω·cm。铁酸铋薄膜生长在SrRuO<,3>/Pt多层电极上具有(110)择优取向，薄膜的介电和铁电性能也有所提高。具有钙钛矿结构的SrRuO<,3>氧化物电极的引入，改善了BiFeO<,3>薄膜和底电极的界面状况，减少了界面处的氧空位等缺陷，阻挡了铁酸铋薄膜与衬底之间的扩散，有利于提高薄膜的结晶性能和介电、铁电性能等。