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相控阵雷达系统不仅具有较强的抗干扰能力和较快的波速形成能力,而且在信道容量和信噪比方面也较其他雷达有优势,所以拥有相当高的军事战略意义。在相控阵中采用移相器来实现波速的扫描,用低噪声放大器来降低接收链路的噪声系数和提高增益,所以迫切需要研制出小型化、轻重量、高性能的移相器和低噪放芯片。而SiGe BiCMOS技术不仅具有较好的高频性能,而且价格较低、与CMOS兼容,所以得到快速发展。本文选用Global Foundries 0.13μm SiGe BiCMOS 8xp工艺,采用Cadence和HFSS的联合仿真的方法,完成两款移相器和两款低噪放的设计,其中部分模块流片测试。具体内容如下:采用高频性能较好的深势阱MOS管研制了两个工作于Ka波段的六位数字移相器,且都采用级联小移相单元的方式实现。其中高低通型移相器的小移相量单元采用新结构:将串联谐振支路的电感拆分为两个电感,分别放于电容的两边,这样有利于电路的调节与整体的对称性。同时,国内在SiGe工艺上报道的移相器芯片大多位数较低,所以本设计可以为后续高位移相器的设计提供参考。另外,采用cascode结构和温度补偿技术,利于设计出性能较好的K、Ka波段的低噪声放大器。对于所设计的模块,其结果如下:1、Ka波段开关线型数字移相器仿真结果,附加衰减小于±0.6dB,RMS误差小于3.16°,回波优于14.92dB;2、Ka波段高低通型数字移相器测试结果,附加衰减小于±1dB,RMS误差小于6.5°,回波优于9.5dB;3、保证稳定的同时,Ka波段的低噪声放大器仿真完成了3.45dB较低的噪声系数和24dB左右的高增益;4、K波段的低噪声放大器测试结果,噪声系数1.67~2.27dB,增益11.59~12.38dB,输出P1dB在9dBm左右。