半导体激光器是光信息技术的重要光源,而双异质结激光器在室温下长时间连续运转则是半导体激光器可以实际应用到光通信技术的标志。本论文梳理了中国半导体激光器从1963年着手研制至1980年达到实用水平的发展历程。论文指出这个时期中国半导体激光器发展经历四个阶段：第一,着手研制(1963-1964)。1963年下半年,中国科学院半导体研究所和长春光机所着手研制半导体激光器。两个研究单位只用了几个月的时间就将其研制成功,他们的研制工艺各具特色。第二,快速起步(1964-1966)。1964年,激光技术被纳入《1963-1972年科学技术发展规划纲要》,成为重点研究项目。受规划的影响,我国为半导体激光器的研制创造了良好的学术交流平台、组建了专门的研究队伍、开展了文献索引工作。第三,缓慢发展(1967-1975)。“文化大革命”的爆发影响了中国科学技术的发展,但半导体激光器借助中国科学院对军工项目的保护取得一些进展。第四,走向实际应用(1976-1980)。进入70年代,国际光纤通信由实验室阶段向工程研制过渡。1980年,中国研制出长寿命双异质结激光器,为发展光纤通信提供了重要条件。论文还分析了中国半导体激光器早期发展四个阶段的研究背景、工作组织、研究成果、学术交流、以及中国与国际先进水平之间的差距等方面内容；对这个时期各阶段和整体的发展特点做出了具体分析。半导体激光器的自身特点、科学发展规划及科学家和相关学术交流影响了中国半导体激光器的早期发展,这对我们认识这个历史时期中国科学技术的发展提供了具体案例。我国半导体激光器诞生和走向应用的过程,也反映了技术从发明到应用的曲折过程。半导体激光器虽然没有朝向最初预期的大功率激光武器技术方向发展,但它在光信息技术方面应用潜力的逐渐显现依然是具有战略意义的。我国在这个领域的及早布局,建立研究机构、组织研究队伍,为该领域的发展奠定了科学技术基础,有深远的积极影响。本论文是基于档案与文献,并结合王守武院士和潘君骅院士等人的口述访谈完成的,这些工作保证了本研究的可靠性。