硅基薄膜材料具有原料储存丰富、材料和制造成本低廉、制备技术成熟及易于大面积加工、并且易于实现柔性电池等优点,其应用范围广泛待开发的空间大。在众多类型的薄膜材料中,氢化硅氧薄膜材料有其独特的优势,且是具有广阔应用前景的新型材料之一。本论文使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,沉积了大量的硅氧（SiO_x:H）薄膜,研究了P型硅氧（SiO_x:H）薄膜的结构、光学和电学特性。对于本论文的主要工作和内容作以下几点简要介绍:1.以不同的二氧化碳与硅烷气体流量比（RC=[CO₂]/[SiH₄]=0、0.5、1、2）和不同的衬底温度（200℃和250℃）,在高气压（220Pa）和高功率密度（1W·cm-2）条件下制备了一系列的氢化硅氧（SiO_x:H）薄膜。运用Raman谱和XRD对材料的微结构进行表征,运用傅立叶变换红外（FTIR）光谱对薄膜的键合模式以及薄膜中氧含量、氢含量进行分析表征。薄膜的光学特性（薄膜折射率n、光学带隙Eg等）与不同CO₂/SiH₄气体流量比的关系是通过分光光度计（UV-VIS）透射谱分析讨论;采用绝缘电阻测试仪进行变温暗电导率测试,分析讨论了暗电导率σd、激活能Ea与CO₂/SiH₄流量比的关系。实验发现,薄膜沉积速率可达0.30nm·s-1;同时,随着掺入气体CO₂流量增加,薄膜由微晶+非晶两相结构逐渐转化为非晶相;在500⁷50nm波长范围内,氧的掺入使薄膜折射率下降（从3.67到2.65）,光学带隙增大（从1.52eV到2.26eV）;薄膜中Si-H键伸展模的微结构参数R*增大,缺陷增多薄膜质量变差;随着二氧化碳气体流量比的增加,过氧反应导致薄膜中的氧原子增多而使薄膜电学性能变差,电导率呈减小趋势而激活能Ea增大,费米能级向导带底移动。2.不同氢气流量比系列的氢化硅氧（a-SiO_x:H）薄膜是由PECVD系统沉积在普通玻璃衬上,研究了不同的氢气与硅烷气体流量比（RH=[H₂]/[SiH₄]=200,250,300,350,400）对材料微结构和光学特性的影响[3]。薄膜的微结构和光学特性是利用Raman谱、XRD和紫外-可见光（UV-VIS）透射谱分别进行表征测试与分析的。从实验的表征结果来看:硅氧薄膜的XRD和Raman谱的表征结果相互验证即都呈现出非晶硅的特征峰;随着氢气气体流量比增加,氢等离子的刻蚀效应使得薄膜中氧原子数量增多,最终导致薄膜沉积速率RG减小,光学带隙Eg增大（从1.78eV到2.13eV）。3.不同硼掺杂比系列P型氢化硅氧（SiO_x:H）薄膜是以不同的乙硼烷与硅烷气体流量比（RB=[B₂H₆]/[SiH₄]=0%、0.75%、1.5%、4.5%、7.5%）、二氧化碳与硅烷气体流量比（RC=[CO₂]/[SiH₄]=0和1）,固定的衬底温度（TS=200℃）、高气压（220Pa）、高氢稀释比（RH=[H₂]/[SiH₄]=200）和高功率密度（1W·cm-2）为实验参数条件所制备[3]。借助Raman谱、XRD、紫外-可见光（UV-VIS）透射谱以及变温电阻测试等手段,分析讨论了在改变硼掺杂比的情况下对氢化硅氧（SiO_x:H）薄膜微结构与光电性质所产生的影响变化和产生这种变化的机理。研究结果表明:薄膜的结晶态随着硼烷的引入明显减少最终消失,同时随着硼掺杂比RB的增大,薄膜光学带隙减小,折射率增大,薄膜暗电导率先减小后增大,这不仅与硼掺杂比有关,而且与薄膜中的氧含量和结晶率相关,最终获得电导率最大值为0.048Ω-1·cm-1。