InGaAs/InAlAs半导体材料目前是制作高电子迁移率晶体管的首选材料之一,对于它的研究方兴未艾,在深低温、强磁场条件下的输运性质的研究可以为器件性能的提高提供重要的参考价值。本文在深低温、强磁场的条件下通过样品的磁输运测试,对电子浓度、有效质量、迁移率、自旋—轨道耦合系数以及有效g因子等反映材料性质的重要参数进行了研究,得到以下结论。1、研究了外部条件改变对电子迁移率的影响。在变温磁输运测试中,得到了电子的有效质量。研究了输运迁移率和量子迁移率随温度的变化规律,在1.4K到6.0K的范围内,随着温度升高,电子浓度和输运迁移率变化很小,电子浓度稍有增加,输运迁移率稍有减小,而量子迁移率降低比较明显,且与温度近似成线性关系。同时量子迁移率比输运迁移率小得多,输运迁移率大约是量子迁移率的7到8倍,所以在样品的散射机制中,小角度散射占主导地位。同时验证了在倾斜场中霍尔迁移率和量子迁移率不受样品与磁场角度变化的影响。2、研究了样品的自旋分裂。在变温条件下,SdH振荡在我们研究的温度点(T=1.4K、1.7K、2.9K以及4.0K)出现了明显的拍频,拍频节点位置不随温度变化,拍频幅度随温度的升高逐渐减弱,到T=6.0K时基本上观察不到拍频现象,同时在相应的SdH振荡的FFT图上出现了明显的双峰结构,通过分析得到双峰结构来自于自旋分裂,验证了零场自旋分裂能和Rashba系数不随温度变化。还研究了样品的有效g因子,通过分析拍频节点所对应的磁场垂直分量随磁场倾斜角的变化,发现了随着磁场与样品平面法线方向夹角的增大,拍频节点对应的磁场垂直分量逐渐向高场移动,通过拟合拍频节点所对应的磁场垂直分量与倾斜角余弦的函数,得到了样品的有效g因子和零场自旋分裂能。