本征ZnO是一种高阻半导体，掺杂Al后的ZAO(ZnO：Al)电阻率大大降低。ZnO及其ZAO薄膜是光学透明薄膜，具有优异的光电特性，在太阳能电池、压电器件、液晶显示、反射热镜、紫外与红外光阻挡层及气体敏感器件等方面应用前景看好。ZnO薄膜材料本身无毒性，制备温度低，工艺相对简单，易于实现掺杂，各种制备方法所用的原料都易得、价廉，随着其性质研究的深入，应用领域将不断扩大。因此，要探索新的制备方法，研究多因素之间的交互影响、衬底表面化学反应机理、气体流动状态和传热传质过程，以获得更优的ZnO具有重要意义。本论文探索了一种新的ZnO和ZAO薄膜的制备方法。通过分析比较ZnO薄膜的各种制备技术，采用自行研制的电源，结合中频等离子体化学气相沉积(MF-PECVD)和喷雾热解法各自的优点制备了ZnO及ZAO薄膜，同时研究了样品的光学性质以及ZnO薄膜的光催化作用。 探索了ZnO薄膜的制备、最佳工艺参数并对其性能进行了表征。通过XRD、IR、XPS、UV-Vis、椭圆偏振仪等检测仪器对ZnO薄膜的各项品质进行了检测。 结果表明：衬底上沉积了ZnO薄膜。沉积薄膜后载玻片的透射率曲线图表明，此膜在370nm附近出现一个吸收峰，计算出的能带隙宽度为3.3eV，这与ZnO膜的禁带宽度一致。IR谱表明，薄膜中有Zn2+存在，说明ZnO的存在。XRD检测表明，载玻片上沉积有纤锌矿型ZnO。 沉积薄膜可见光平均透射率可达87％以上；反应室总气压对薄膜吸光度影响较大，沉积时间和锌源温度对薄膜吸光度影响较小；衬底温度、总气压、锌源浓度影响成膜速率；衬底温度400℃时沉积薄膜接近无色，取向性好，表面均匀，附着力好；衬底温度是薄膜C轴高度取向生长的敏感因素；ZnO薄膜光催化降解甲基橙有一定效果。 探索了ZAO薄膜的制备。利用正交设计法设计实验，考察衬底温度、锌源浓度、沉积时间、掺杂量对ZAO薄膜透射率的影响。通过UV-Vis对ZAO薄膜的透射率进行检测。 结果表明：MF-PECVD法制备ZAO薄膜时，影响薄膜透射率的主要因素为：掺杂量、沉积时间。次要因素为：锌源浓度、衬底温度。最优组合方案为：衬底温度350℃、锌源浓度0.5mol/l，沉积时间90min、掺杂量1at.％。 最后比较了ZnO与ZAO薄膜透射率的差异，并从理论上给出了初步的解释。