随着无线通信技术的不断发展,人们对高性能大容量无线通信系统的需求越来越大,希望其提供更高的数据传输速率、成本更低、功耗更小。在这样的背景下,超宽带（UWB）技术引起了人们的重视,被视为下一代通信的关键技术之一。因此,对UWB系统的射频与通信集成电路的研究和设计具有重要的现实意义。而低噪声放大器（LNA）作为无线接收机的第一级,其良好的性能是实现正常通讯的重要保障,所以研究宽带CMOS低噪声放大器意义重大。低噪声放大器（LNA）是无线收发机前端的关键电路之一。由于是整个电路系统的第一级,因此其增益,噪声,线性度等直接影响整个电路系统的性能。同时,为了满足高可靠性和低成本的要求,电路需要高集成度,因此射频收发机需要能够单片集成。为了设计出一个性能优良,结构新颖的LNA放大器,本文进行了如下几项工作:（1）首先对CMOS工艺中的电感电容以及片上变压器进行了简单介绍,对二端口网络噪声和级联系统的噪声进行了分析并给出了计算公式。然后介绍了LNA的基本原理和几种常见的基本结构和一种新近出现的拓扑结构—噪声消除技术,并对这几种结构的特点作了比较分析;（2）针对噪声消除结构仅应用于窄带LNA、共栅级放大器具有高带宽但噪声系数过高的局限性,本文将共栅级放大器作为LNA的输入级,后端利用噪声消除技术将输入级的噪声在输出端抵消,给出了一个利用共栅级放大器与消噪技术相结合的级联拓扑结构,有效的拓展了带宽,还可以保持较低的噪声系数;（3）针对噪声消除结构增益过低的缺陷,提出了利用适用于宽带的改进型电流复用技术,与自举片上变压器相结合,提高消噪结构的放大增益,使得噪声消除结构有着高带宽,高增益,低噪声系数;最后基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,文中给出了一个LNA的设计实例,ADS仿真结果表明,工作在3.1-10.6GHz,匹配特性S₁₁、S₂₂均小于-10dB,增益为15.1dB,噪声系数为在整个带宽内3.9-5.8dB。