对新材料探索与物性的研究是凝聚态物理方面重要的研究方向。三十多年前,铜氧化物高温超导和量子霍尔效应的发现,带动了强关联和拓扑领域的巨大发展。现如今,强关联体系和拓扑材料的研究层出不穷。在这些研究中,单晶生长成为了最核心的组成部分。本工作也对该领域的材料进行了制备和研究。在本文中,通过以单晶生长为主,结合物理性质测量及角分辨光电子能谱（ARPES）等测量手段,对本工作中所制备材料的晶体结构、物理性质及电子能带结构进行了详细阐述。本文的主要内容如下:1、SrIr₂O₆多晶和单晶的生长与物性研究。物性测量表明SrIr₂O₆多晶在高温时表现出居里-外斯行为,随着温度的降低,电阻率也随之增大,比热测量发现,该材料在降到0.05 K时,依然没有发现磁有序,其低温磁性表现出无能隙的顺磁行为,如磁化率和零场比热的幂律行为等。单晶样品的成功制备对SrIr₂O₆本征物理性质及其各向异性的认识具有重要意义。本工作也对SrIr₂O₆单晶样品进行了物性测量,结果表明其单晶样品的行为与SrIr₂O₆多晶样品的行为表现一致。该材料物性测量的分析结果,有力的证明随机单态（RSP）可以存在于强自旋-轨道耦合（SOC）系统中。2、EuSn₂As₂的单晶生长与物性研究。通过采用Sn做助熔剂,成功合成了EuSn₂As₂单晶样品。磁性测量结果表明,EuSn₂As₂在25 K左右出现顺磁相到反铁磁相的转变。因其存在Sn的空穴掺杂,常规的ARPES实验无法确定带隙中是否存在拓扑表面态,本工作使用泵浦激光技术,成功观测到带隙中的狄拉克型的拓扑表面态,这也是首次在磁性拓扑绝缘体中观测到清晰的拓扑表面态。3、单层MoS₂薄膜的生长。针对MoS₂薄膜的难以量产和层数难以控制的问题,本工作在传统的化学气相沉积（CVD）方法的基础上,采用溶液作为前驱体,在750 ℃进行MoS₂薄膜的生长。此方法有效降低了前驱体蒸气的过饱和度和成核密度,生长出干净的单层和双层MoS₂薄膜。AFM测得MoS₂薄膜的厚度为1.28 nm,相当于双层MoS₂薄膜。拉曼位移约为18.8 cm^-1和20.9 cm^-1,分别对应双层和单层MoS₂薄膜。以上是本论文的主要内容。强关联体系和拓扑材料作为当前研究的热点,依然处于初期的研究阶段,仍有大量的问题需要解决,还需要研究者对更多的材料进行深入研究。