目前在高压大电流的应用领域上,IGBT有绝对的统治地位。主要原因是由于IGBT管结合了GTR和MOSFET二者的优点,具有开关速度快,耐压能力高,热稳定性能好等确定。现在基于IGBT的驱动电路也已经成为电力电子应用领域中的核心产品。本文基于UMC 0.6μm 15V BCD工艺设计了IGBT栅驱动电路。本驱动电路由一个三相桥式IGBT逆变器电路和四个有保护控制功能的驱动模块组成。控制功能的驱动电路其中由3个高压IC(HVIC)、1个低压IC(LVIC)、6个IGBT功率管、6颗快恢复二极管(FRD)来组成。因此电路需要同时工作在高压和低压两个状态。在电路的设计上面,高压模块主要是使用MOS管搭建电路,而在低压模块中主要使用BJT管搭建电路。本文首先介绍了驱动电路的研究意义与背景。然后对电路进行系统性设计进行介绍,分别从桥式电路、隔离技术以及IGBT器件工作原理,并确立了三相桥式驱动电路的整体框架。随后本文分别对过温保护、欠压保护、过流保护、故障控制、电平位移和驱动电路这六个子单元进行详细地分析与设计,并分别进行了仿真。在完成各个模块及模块内部子单元的分析设计后,利用仿真软件对IGBT驱动电路的整体电路进行仿真,以确保其整流功能满足设计指标。通过本次毕业设计,作者通过HSPICE软件验证了IGBT驱动电路的可行性。相信在以后的驱动电路中,功能会越来越完善。