石墨烯由于其优异的物理特性,在物理学、材料学、航空航天、新能源、电子等诸多领域有着巨大的应用前景。因此石墨烯一经发现,立即引起了各界学者的兴趣,并引发了一大波关于它的理论和实验研究热潮。石墨烯纳米材料的实用化对石墨烯的高效、可控制备提出了要求,因此制备出结构可以控制的石墨烯并研究其电子态性质将对其具有十分重要的指导意义。本文以1,3,5-三苯基苯(1,3,5-triphenylbenzene,TPB)为前驱分子,在超高真空系统中,通过控制生长条件使其吸附到Cu(111)衬底表面。利用紫外光电子能谱(Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy,UPS)分别测量了 不同覆盖度下 TPB在Cu(111)衬底上的UPS。UPS显示了功函数的变化,说明在Cu(111)衬底与TPB界面形成了电偶极层。在对Cu(111)上不同覆盖度下的TPB分子进行退火以自组装外延的方法制备石墨烯纳米片(Graphene Nano Flakes,GNFs)时,我们发现随着前驱分子覆盖度的降低,生成石墨烯所需的退火温度也会随之下降。通过角分辨紫外光电子能谱(Angle Resolved Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy,ARUPS)分析了单层TPB与GNFs在Cu(111)表面的生长形貌,结果表明二者都是以平躺的方式吸附在Cu(111)表面。最后结合基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)计算结果,进一步探究了 TPB/衬底以及石墨烯/衬底界面的电子态。