本文首先考虑了在偏置的金属-分子-金属结的几种基本单分子光学现象。分子被表示成最高占有分子轨道(HOMO)和最低未占有分子轨道(LUMO)，而且同时考虑三种耦合通量：第一，通过分子的电子流通量；第二，元件中分子和电子-空穴激发问的能流通量；第三，入射或者发射的光子通量。 其次，利用基于非平衡格林函数方法的标准理论，在上述的面结中，我们可以得到吸收光谱线形状和分子发射感应电流的表达式。其中，吸收光谱线形状是不容易观察的，但是它对得到其它光学过程很有参考价值。我们也考虑了在不偏置结中共振辐射能感应电子流。 然后，我们发现在适当的条件下，在单分子结中共振光感应电子流和分子发射激励电流都是可观测值。特别地，在具有强电荷位移光跃迁的分子桥结中可以观测到光感应电流。为了观测分子发射感应电流，我们发现除了需要控制分子激发到金属基底片的减弱，而且这个分子发射感应电流还对分布在结上的势偏置很敏感。 最后，对全文进行了总结并对分子电子学的理论研究及应用做了展望。