TiO₂半导体材料被广泛的运用于太阳能电池中,主要由于其具有催化活性高,较大的比表面积,无毒和廉价等优点。由于CdS是窄带隙半导体,禁带宽度为2.4 eV,并且量子点具有带隙窄,量子点结构调节带隙,多激子产生效应等优点。本文将CdS制备成量子点尺寸,利用水热法合成TiO₂纳米棒,采用SILAR制备CdS量子点,通过浸泡的方法承载染料。利用CdS和染料能分别吸收可见光,产生电子空穴对,设计了 TiO₂/CdS和染料敏化TiO₂作为光阳极。本文主要从DSSCs的结构出发,分别研究了 TiP2纳米棒的制备,刻蚀工艺对TiO₂纳米棒结构的影响,以及基于刻蚀后TiO₂纳米棒的QDSSCs和DSSCs的制备工艺与性能。首先通过水热法制备TiO₂纳米棒,研究了刻蚀时间和刻蚀浓度对阵列表面的影响,获得了最佳刻蚀时间和最佳刻蚀浓度;其次在刻蚀的阵列表面制备CdS量子点构筑了QDSSC效率为1.08%:,最后将TIO₂在N719染料中浸泡24h,构筑DSSCs。结论主要如下;1,通过水热法在FTO上制备TiO₂纳米棒,将制备好的阵列放入25 mL的水热高压釜内胆中,膜面向上,加入盐酸与去离子水的混合溶液,探究不同刻蚀时间与不同刻蚀浓度对阵列的影响,得到最佳刻蚀时间为3 h,最佳刻蚀浓度为7 mL盐酸与9 mL去离子水。2,在刻蚀后的阵列上沉积CdS量子点,采用SILAR法,沉积次数为15次。当研究不同刻蚀浓度时,刻蚀浓度为3 mL盐酸,效率最高为1.18%。当研究不同刻蚀时间时,刻蚀时间为5 h,效率最高为0.78%。3,将刻蚀后的阵列浸泡染料,制备成光阳极。当研究不同刻蚀浓度TiO₂时,7mL盐酸刻蚀的效率最高为1.6%。当研究不同刻蚀时间TiO₂时,5 h刻蚀效率最高,为1.0%。为了提高电池效率,进一步研究了水热与刻蚀相结合的方法制备阵列,且将制备好的阵列浸泡染料,制备成光阳极。水热刻蚀后再水热刻蚀的样品效率最高,为3.6%。效率提高的原因是刻蚀后,使棒子与棒子之间的距离大大增加,并且在刻蚀后继续生长阵列再刻蚀,使得双层被刻蚀的阵列有较大的比表面积,不仅有利于染料的吸附,提高染料载量,而且还有利于电解液的浸入和电子的传输。