本论文介绍了SiGeC材料和器件特性、电路相对于SiGe器件和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的优越性。介绍了SiGeC HBT的能带结构以及Ge和C的引入对能带结构的影响,并介绍了SiGeC HBT的发展现状和应用领域。比较了SiGeC HBT和Si BJT、SiGe HBT的直流特性、交流特性,介绍了SiGeC HBT高频功率管的基础知识。推导了考虑电子温度效应之后的基区渡越时间的闭式物理模型,并与简单的漂移扩散模型作了比较,对于超薄基区,该闭式模型比漂移扩散模型准确。对于超薄基区SiGeC HBT,载流子通过基区时受到很少的碰撞,是非平衡的输运过程,速度效应明显,载流子并不是以饱和速度通过BC结耗尽区,而是以大于饱和速度的过冲速度渡越基区。介绍了SILVACO公司的工艺模拟模块ATHENA和器件仿真模块ATLAS,并利用软件模拟了SiGeC器件,得到的结果与闭式物理模型推导结果一致,说明所推导的结果是准确的。基于能带工程的SiGeC HBT可以通过改变Ge和C含量来改变能带结构,提高了载流子的注入效率,减小渡越时间,极大提高了HBT的直流特性和高频特性。而且与现有的先进Si工艺兼容,成本比较低,相信SiGeC HBT将在未来的超大规模集成电路领域会有广阔的应用前景。