速度过冲相关论文
本论文介绍了SiGe材料和器件特性、电路相对于Si器件和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的优越性。介绍了SiGe HBT的能带结构以及Ge的引入......
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分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性,分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流,改变器件特性.NMOSFET能量弛豫时间......
在对已发表的GaAs HBT文献的研究中发现,其截止频率fT的理论计算结果比实验值小很多,而相应的文献中并没有给出fT的计算结果.针对......
随着器件尺寸的进一步减小，Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法......
