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提高自旋注入效率的途径之一是选用半金属磁性材料,它作为自旋注入源具有完全的自旋极化的导带。对于欧姆接触,这种完美的自旋注入源可以避开电导不匹配的问题,而在隧穿的情况下,对比传统过渡金属注入,它的高自旋极化率会导致在半导体内更大的自旋电子密度积累。Fe3O4由于具有电阻率随着温度的降低而增加,而且在Verwey处会出现两个数量级的跳变以及半金属特性等优点,成为近年来人们较为关注的自旋注入源之一。本论文用对向靶直流反应溅射法在电极层上制备了多晶Fe3O4薄膜(p-Fe3O4/Ag)和Fe3O4