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近年来,随着当代计算机技术以及电子信息技术的蓬勃发展,人们对于微电子元器件的要求越来越高,使得各种电子设备向着高集成化、多功能化、小型化和快速响应化发展,电子设备的信息交换和存储系统向着微型化和快速存储化的方向发展。基于这样的背景下,区别于传统的新型结构的磁性纳米复合材料受到广泛关注。两种软硬铁氧体的结合提供了一种具有独特磁性的新材料,如完美的交换耦合行为,更大的表面积和更宽的吸收带宽,这使得它们对包括微波、记录介质和医疗在内的各种应用都具有吸引力。本文以高交换耦合效应的软硬铁氧体复合材料为目标,分别通过溶胶凝法获得了Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19纳米复合粉体,通过脉冲激光沉积技术,获得了Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19纳米复合薄膜,通过脉冲激光沉积和多孔氧化铝掩模获得了Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19纳米复合阵列。基于多种表征技术对制备的样品进行了成分、结构、形貌以及磁性能进行了表征。研究结果表明,创新工艺下所制备的磁性复合材料具有较强的交换耦合效应,在磁介质和储能等方面有着广阔的应用前景。本文的研究结果如下:（1）研究了溶胶凝胶两步法制备Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19纳米复合粉体的工艺以及性能。首先,利用溶胶凝胶法制备出了Ba Fe12O19铁氧体粉末;然后,将Ba Fe12O19铁氧体粉末与还未烧结的Ni0.5Zn0.5Fe2O4胶体混合,分两步制备了Ba Fe12O19+x（wt）%Ni0.5Zn0.5Fe2O4,（x=5,10,15,20,25,30,35,40）软硬磁复合粉体;最后,对复合粉体进行了结构和性能表征。结果显示,两相之间得到了很好的分散,团聚现象较弱。x=25,30,35,40四个组分交换耦合作用明显弱于x=5,10,15,20,饱和磁化强度、剩余磁化强度和最大磁能积均随着软磁相组分的增加先增大后减小。在x=20这个组分获得最大饱和磁化强度、剩余磁化强度和最大的磁能积,分别为58.9 emu/g,30.5 emu/g,1.16 MG.Oe,在磁存储领域有一定的应用前景。（2）研究了PLD制备Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19纳米复合薄膜的工艺以及性能。首先,利用PLD技术逐层沉积了Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19软硬磁复合薄膜样品A(Ni0.5Zn0.5Fe2O4和Ba Fe12O19各3层交替沉积)和样品B(Ni0.5Zn0.5Fe2O4和Ba Fe12O19各4层交替沉积);其次,对复合薄膜样品进行了结构和形貌表征,在各层膜之间显示清晰的界面,并且复合薄膜拥有光滑的表面、较高质量的结晶质量;最后,通过对复合薄膜磁特性的表征,显示出复合薄膜具有一定的各项异性,并在垂直膜面方向具有较强的交换耦合效应,其剩磁比达到了0.55（样品A）和0.59（样品B）。（3）研究了PLD辅以超薄AAO掩膜制备Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19纳米复合阵列的工艺以及性能。首先,利用二次阳极氧化法,在磷酸体系中成功制备了孔间距为450 nm,孔径350 nm,厚度为1μm的超薄AAO模板,并将其转移到氧化铝基底;其次,利用PLD技术,在AAO掩膜的氧化铝基底上采用逐层退火沉积的方法制备了Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19软硬磁复合纳米点阵列样品A(Ni0.5Zn0.5Fe2O4和Ba Fe12O19各3层交替沉积)和样品B(Ni0.5Zn0.5Fe2O4和Ba Fe12O19各4层交替沉积);最后,对样品进行了性能表征。结果表明,制备的Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19软硬磁复合材料样品呈纳米点阵列结构,纳米点的间隔小,连续性较高。同时Ni0.5Zn0.5Fe2O4/Ba Fe12O19纳米复合阵列具有明显的各项异性,在垂直膜面方向拥有更强的的交换耦合效应,剩磁比达到了0.57（样品A）和6.0（样品B）,相比于复合薄膜有一定的提升。