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本文主要研究了半导体Doping Profile的反演。我们对瞬时Drift-diffusion系统建立了全局Carleman估计，并且用此估计得到了可反演性的结果。我们得到的结果是Doping Profile是Lipschitz连续依赖于相应的边界和中端测量值。在求解此反问题时，我们使用先验分布为全变差的贝叶斯推断。本文将提供N-P二极管的数值反演的结果。