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锆钛酸铅(PZT)薄膜具有优良的介电、铁电、压电和光电特性，且抗辐射性强，不挥发，已广泛地应用于微电子，集成光学和微机械系统(MEMS)等高技术领域。PZT的制备方法有很多，其中溶胶—凝胶(Sol-Gel)方法可以和集成电路(IC)光刻工艺相互兼容，处理温度低，有大面积涂敷性能，能精确地控制组分，无需复杂的真空设备，成本低廉，所以对于集成铁电薄膜电容的应用这种方法有很广阔的前景。 本文利用Sol-Gel技术在掺锡的In_2O_3透明导电薄膜(ITO)衬底和低阻硅衬底上成功