肖特基接触是AlGaN/GaN HEMT制备中的关键工艺之一,提高肖特基势垒高度、减小理想因子和泄漏电流可以提高器件的击穿电压,进而改善器件功率特性,良好的肖特基接触特性是获得高性能AlGaN/GaN HEMT的基础,所以开展AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的研究具有十分重要的意义。本论文主要研究了AlGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化。首先对不同的表面处理工艺进行了比较,发现采用ICP O2等离子体处理,并用HF(40%): H2O(1:5)溶液清洗刻蚀后表面,可以有效减小表面态密度,未经处理的样品肖特基接触理想因子为2.6,处理后理想因子减小到1.8。研究了离子注入隔离对肖特基特性的影响,发现B+离子的注入是导致采用注入隔离制作的器件的势垒高度相对于干法刻蚀台面的器件普遍偏低,而n值普遍偏高的主要原因,通过对注入剂量及能量的优化,获得栅金属化后理想因子1.6,栅电压为-20V时,泄漏电流仅为2.8×10-6A的器件。对SiN钝化膜的折射率与肖特基特性的关系进行了研究,实验发现SiN钝化膜的折射率在2.3~2.4之间时,对肖特基正向整流特性的影响较小,但钝化后反向泄漏电流较大的问题仍未得到解决,有待于进一步研究。