纳米GaP半导体材料的光学与光催化性质

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纳米GaP是一种宽禁带半导体材料,近年来,由于在发光、显示和光电探测等方面潜在的应用前景,纳米GaP材料日益受到各国研究人员的重视.本文在苯热法合成纳米GaP材料的基础上,对纳米GaP材料的微观结构、光学与光催化性质进行了研究.主要工作包括:确定了纳米GaP材料的晶胞常数和平均晶粒粒径;利用电子顺磁共振(EPR)方法分析了纳米GaP材料的点缺陷.系统研究了纳米GaP材料对光的吸收、发射以及散射等性质,结果表明,与常规GaP晶体相比,纳米GaP材料对紫外-可见光的吸收带带边发生蓝移;其拉曼散射谱出现明显的表面振动模;在可见光波段出现多个光致发光谱带,表现出显著的量子尺寸效应.分析了纳米GaP粉体对结晶紫的吸附规律和机理,以及光催化降解作用.通过对超声分散时间、分散剂种类、分散液浓度和pH值等因素的分析,全面研究了纳米GaP粉体在非水性溶剂-1,2-二氯乙烷和水中的分散行为.制备了纳米GaP-聚丙烯酸酯复合薄膜,并对其光吸收性质进行了初步研究.
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