【摘 要】
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电子束辐照B/Mg多层先驱膜制备MgB2超导薄膜的退火时间短,有效阻止了Mg的挥发以及氧化,生成的超导薄膜可达到制作电子器件的质量要求。温度是影响B与Mg化合生成MgB2超导薄膜
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电子束辐照B/Mg多层先驱膜制备MgB2超导薄膜的退火时间短,有效阻止了Mg的挥发以及氧化,生成的超导薄膜可达到制作电子器件的质量要求。温度是影响B与Mg化合生成MgB2超导薄膜的关键因素,因此需要精确控制电子束退火温度。但是,电子束退火时间极短(一般<1s),在超导薄膜制备过程中要实时精确监测退火温度难度非常大。采用数值模拟方法预测先驱膜退火温度与电子束退火参数之间的关系,通过优化电子束退火参数控制退火温度,这是实现电子束退火温度精确控制的有效方法之一。本文开展了电子束辐照B/Mg多层膜温度场的数值模拟研究。在电子束辐照单一材料能量沉积分布公式的基础上推导出了电子束辐照多层材料能量沉积分布通用公式,建立了电子束辐照多层材料温度场三维、二维和一维数学模型。参考电子束退火B/Mg多层先驱膜制备MgB2超导薄膜的实验模型和参数,设计了20个数值计算样品,根据所建立的数学模型采用有限元方法计算了不同电子束辐照时间、束流和加速电压对退火温度的影响。在结合实验数据对模拟计算结果综合分析的基础上,提出了电子束退火参数的优化控制方法。研究结果表明:(1)电子束辐照B/Mg先驱膜的退火温度随电子束加速电压、束流和辐照时间的增加分别呈线性增加;(2)电子束辐照的能量密度相同,先驱膜表层退火温度相同,不随加速电压和束流的变化而变化;(3)电子束辐照B/Mg先驱膜退火参数的优化原则:①先驱膜表层退火温度必须高于Mg的熔点;②应采用高功率密度,低辐照时间的退火参数;(4)电子束辐照B/Mg先驱膜退火参数的优化方法:①根据物理模型选择数学模型;②选择一套先验退火参数;③计算先驱膜温度场;④根据优化原则和计算结果,调整退火参数,再次计算先驱膜温度场,循环往复,直到得出最优退火参数。本文所建立的电子束辐照多层材料温度场数学模型,对于电子束辐照技术处理多层材料的应用具有重要意义;电子束辐照B/Mg先驱膜退火参数的优化方法,为实现电子束退火温度的精确控制提供了有效预测手段。
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